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IXFH6N100Q中文资料

IXFH6N100Q图片

IXFH6N100Q外观图

  • 大小:120KB
  • 厂家:
  • 描述:MOSFET N-CH 1000V 6A TO-247AD
  • 标准包装:30
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:HiPerFET™
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):1000V(1kV)
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:1.9 欧姆 @ 3A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):4.5V @ 2.5mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:48nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:2200pF @ 25V
  • 功率 - 最大:180W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-247-3
  • 供应商设备封装:TO-247AD
  • 包装:管件

IXFH6N100Q供应商

更新时间:2023-01-03 19:48:32
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